一、 用途：

该设备由真空镀膜室、真空系统及测量系统、圆形平台磁控溅射靶及挡板、加热旋转基片台及挡板、工艺进气及冷却系统、全自动控制系统及电源等部分组成。可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜。可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。

二、主要技术指标：

1. 镀膜腔室尺寸：φ500 mm×H420mm，采用立式、圆柱形、前开门结构；

2. 真空腔室：φ500×H420mm；圆柱形前开门结构；不锈钢一体式机架；

3. 真空系统：复合分子泵+直联旋片泵,高真空气动挡板阀，数显复合真空计；

真空极限及抽速：溅射室极限真空度≤6×10-5 Pa ，空载从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min；系统停泵关机12小时后真空度≤5Pa；

4. 基片台：尺寸为φ150mm，可放置4英寸样品1片；样品具有连续旋转功能，旋转0～30转/分连续可调，磁流体密封；

5. 基片加热温度：室温～500°C，热电偶闭环反馈控制，可控可调；

6. 溅射靶：配置3套3英寸永磁共焦磁控溅射靶（溅射靶角度可调）、磁控靶RF/DC/MF兼容，可以溅射磁性材料、磁控靶配有气动挡板结构、靶基距调整范围100～140mm；

7. 工作方式：各靶可依次独立或多靶共溅射，磁控靶从上向下溅射镀膜；

8. 负偏压电源：直流脉冲偏压电源-1000V 1 套；

9. 控制方式：采用PLC+液晶显示屏+工控机全自动控制系统。